多年没有像样的科研成果，好几次差点放弃学术研究，借着锗锡材料出现的东风，他迎来科研的转折点，在国际上首次制备出高性能锗锡CMOS（互补金属氧化物半导体）器件，实现了多个世界“首次”和最高纪录。他就是国家优秀青年科学基金获得者、西安电子科技大学微电子学院教授韩根全。

    “没有理想和情怀，就做不了科研。”走过科研的低谷，韩根全说自己靠的就是“理想”和“情怀”两样法宝。

    “站得不高、看得不远，再勤奋也没用”

    韩根全本科就读于清华大学材料科学与工程系，在旁听了一堂半导体物理课后，他对半导体器件方向产生浓厚兴趣，并进入中科院半导体所读直博。其间，他却没做出什么像样的成果，仅仅调试了5年材料外延生长设备。设备一次次出问题，他一次次跟维修师傅熬通宵查找症结，最终“长”出了一片又一片硅片锗片，给师弟们留下了一台性能优异的材料生长设备。

    但这些实实在在、浩繁复杂的工作并不能体现到论文上，临近毕业，韩根全感到这5年的时光虚度了。然而，世上没有白费的努力，韩根全日后才深深体会到这点。

    本科到博士，韩根全度过了一段勤奋而迷茫的时期。“无论如何努力都出不了成果，好几次差点放弃做研究。”直到去新加坡国立大学读博士后，他才找到了问题的症结，“站得不高、看得不远，对方向的选择和把握不足，再勤奋也没用”。

    韩根全最终转向了微电子器件方向，并借着锗锡材料的东风，开始驶入科研高速路。2013年，成果优异的韩根全谢绝导师提薪晋职的挽留，回国来到了西安电子科技大学。

    “失败中积累的很多东西都派上了用场”

    初到新加坡国立大学，韩根全在导师指导下开始了以硅为材料的隧穿晶体管研究。从无论如何都达不到实验要求，到在微电子器件领域产生一些影响，韩根全用了5年时间。

    “团队成员都很优秀，实验条件也很优越，但头3年，我们怎么做也不出成绩。不仅我的研究生涯面临结束，团队成员也陷入可能毕不了业的窘境，这让我很崩溃。”

    关键时候，转折点出现了。如韩根全当年博士毕业时所预料的那样，中科院半导体所那台他调试了5年的设备上，“长”出了新的高质量锗锡材料。这一发现顿时让韩根全的科研之路柳暗花明，他做出了突破性、开创性的成果。

    到西安电子科技大学加入郝跃院士课题组后，韩根全研究的重点依然是锗基沟道CMOS器件这一国际微电子前沿领域。2014年，他的团队获得了锗锡p沟道晶体管空穴迁移率国际最高纪录，比硅器件提高了5倍以上。2016年，他的团队实现高迁移率应变锗p沟道晶体管，比硅器件迁移率提高18倍。

    “我们万事俱备，只欠东风，而锗锡就是东风。先前在失败中积累的很多东西在锗锡出现后都派上了用场。”韩根全说，“在逆境中学会积累，迟早会有突破。”

    “重要的是学生真正进步，发论文只是副产品”

    韩根全从2013年开始在国内带研究生，至今学生已发表高水平SCI（科学引文索引）论文几十篇，多次在国际会议作口头报告，获国家级奖励8人次。有研究生获得国际学术会议最佳学生论文奖，更有学生登上国际微电子学界王牌会议演讲台。

    第一次参加国际会议的学生们往往紧张到吃不下饭。韩根全安慰说：“哪怕站在台上20分钟一句话不说也没关系。”渐入佳境的学生们最终作出了一场场出色的口头报告。

    “本年度计划送10人次出国开会。”韩根全说，“想到可以去国际会议作口头报告，学生们很开心，做得也带劲，就容易出成果。”

    被许多人看重的论文发表数量，在韩根全这里倒成为次要，“重要的是学生真正进步，发论文只是副产品”。

    韩根全再次提起“理想”和“情怀”，“这两个词对年轻学者来说很重要，成功与否、钱多钱少不重要，但要对得起国家、对得起学校、对得起学生”。（本报记者 冯丽 通讯员 付一枫）